產品資料

YQ-DHIP-1射頻ICP薄膜沉積裝置

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產品名稱: YQ-DHIP-1射頻ICP薄膜沉積裝置
產品型號: YQ-DHIP-1
產品展商: ghitest
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簡單介紹

本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統、氣源進氣調節系統、襯底加熱溫度控制系統等部分組成。


YQ-DHIP-1射頻ICP薄膜沉積裝置  的詳細介紹

  本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統、氣源進氣調節系統、襯底加熱溫度控制系統等部分組成。
  通過本實驗裝置可以掌握CVD(化學氣相沉積);理解CVD的成膜過程及要求,化學輸運反應的原理,等離子體CVD的原理、特點及等離子體的激勵方式;了解該在電學、光學、微電子學等領域的廣闊應用前景。
可開設的實驗
1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應用;
2、硅系納米復合薄膜材料PCVD法制備;
3、電容耦合/電感耦合等離子體化學氣相沉積制備**功能薄膜。
主要參數
1、薄膜沉積室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成;**尺寸:Φ220×H230mm;
2、薄膜沉積室本底真空: ≤1Pa;
3、射頻耦合方式:電容耦合/電感耦合;射頻源功率:帶500W  13.56MHz;
4、氣路系統:由三路轉子流量計控制(可選配流量計);
5、襯底加熱溫度:室溫至300℃可控;
6、平行板電:Φ70mm;
7、工作反應氣體:由電板上微孔均勻導入;
8、真空抽氣系統:2XZ-4型旋片機械泵,4L/S,單相220V交流電源供電;
9、管道、閥門:材質使用不銹鋼和金屬波紋管;
10、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警,并執行相應保護措施;
11、供電電源:AC220V,50Hz,整機功率2KW。
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